Name: IRF530NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF530NSTRLPBFTR-ND
Price: 2.806 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF530NSTRLPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF530NSTRLPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF530NSTRLPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF530NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF530NSTRLPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 17 A (Tc) 3,8W (Ta), 70W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF530NSTRLPBF Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 37 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 920 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 70W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten D2PAK
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 17 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRF530
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 90mOhm bei 9A, 10V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 6 951

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)