IRF2204PBF Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF2204PBF
DigiKey-Teilenr.	IRF2204PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF2204PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 210 A (Tc) 330W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF2204PBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	210 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,6mOhm bei 130A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5890 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	330W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IRF2204

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500	€ 0,96666	€ 483,33

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