Name: IQE220N15NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE220N15NM5ATMA1TR-ND
Price: 4.0504 EUR
Availability: InStock

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IQE220N15NM5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQE220N15NM5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQE220N15NM5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQE220N15NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQE220N15NM5ATMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V
Standardlieferzeit des Herstellers	30 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 7A (Ta), 44A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-8-5
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQE220N15NM5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 22mOhm bei 16A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 4,6V bei 46µA
Serie OptiMOS™ 5	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 18 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1400 pF @ 75 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 7A (Ta), 44A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSON-8-5
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN