Name: IQE046N08LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE046N08LM5CGATMA1TR-ND
Price: 3.7942 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IQE046N08LM5CGATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQE046N08LM5CGATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQE046N08LM5CGATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQE046N08LM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQE046N08LM5CGATMA1
Beschreibung	TRENCH 40<-<100V
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 15,6A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Oberflächenmontage PG-TTFN-9-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQE046N08LM5CGATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 47µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 38 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3250 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TTFN-9-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 15,6A (Ta), 99A (Tc)	Gehäuse / Hülle 9-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer IQE046
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,6mOhm bei 20A, 10V