Name: IQE006NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 3.5624 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Oberflächenmontage PG-TTFN-9-1

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IQE006NE2LM5CGATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQE006NE2LM5CGATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Oberflächenmontage PG-TTFN-9-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQE006NE2LM5CGATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 82.1 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±16V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5453 pF @ 12 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TTFN-9-1
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 41A (Ta), 298A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,65mOhm bei 20A, 10V	Basis-Produktnummer IQE006