Name: IQD009N06NM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD009N06NM5CGATMA1TR-ND
Price: 4.2456 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Oberflächenmontage PG-TTFN-9-U02

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IQD009N06NM5CGATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQD009N06NM5CGATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQD009N06NM5CGATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQD009N06NM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQD009N06NM5CGATMA1
Beschreibung	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Oberflächenmontage PG-TTFN-9-U02
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQD009N06NM5CGATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,3V bei 163µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 150 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 12000 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 333W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TTFN-9-U02
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 42A (Ta), 445A (Tc)	Gehäuse / Hülle 9-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer IQD009
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,9mOhm bei 50A, 10V