Name: IPW65R025CM8XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R025CM8XKSA1-ND
Price: 12.6514 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 90 A (Tc) 431W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-U06

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPW65R025CM8XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPW65R025CM8XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPW65R025CM8XKSA1
Beschreibung	IPW65R025CM8XKSA1
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 90 A (Tc) 431W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-U06
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPW65R025CM8XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 25mOhm bei 40A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 4,7V bei 1,06mA
Serie CoolMOS™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 124 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5910 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 431W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 90 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-U06
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-247-3

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1	€ 10,37000	€ 10,37
30	€ 6,20300	€ 186,09
120	€ 5,28967	€ 634,76
510	€ 4,64408	€ 2 368,48

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