Name: IPW60R041P6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW60R041P6FKSA1-ND
Price: 11.2484 EUR
Availability: OutOfStock

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N-Kanal 600 V 77,5 A (Tc) 481W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPW60R041P6FKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPW60R041P6FKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPW60R041P6FKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 77,5 A (Tc) 481W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPW60R041P6FKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P6
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	77,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	41mOhm bei 35,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 2,96mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	170 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8180 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	481W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-3
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IPW60R041

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