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N-Kanal 600 V 4,3 A (Tc) 37W (Tc) Durchkontaktierung TO-251
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IPU60R1K0CEBKMA1

DigiKey-Teilenr.
IPU60R1K0CEBKMA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IPU60R1K0CEBKMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 4,3 A (Tc) 37W (Tc) Durchkontaktierung TO-251
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™ CE
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Bei DigiKey nicht mehr erhältlich
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4,3 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1Ohm bei 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 130µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
280 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
37W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-251
Gehäuse / Hülle
TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IPU60R
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