Name: IPT65R025CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT65R025CM8XTMA1TR-ND
Price: 9.7234 EUR
Availability: InStock

Neu bei DigiKey

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPT65R025CM8XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPT65R025CM8XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT65R025CM8XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT65R025CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT65R025CM8XTMA1
Beschreibung	IPT65R025CM8XTMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 101 A (Tc) 543W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	101 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	25mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,7V bei 1,06mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	124 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5910 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	543W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN