Name: IPT60R080G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R080G7XTMA1TR-ND
Price: 6.893 EUR
Availability: InStock

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IPT60R080G7XTMA1
DigiKey-Teilenr.	IPT60R080G7XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPT60R080G7XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPT60R080G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT60R080G7XTMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 167W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPT60R080G7XTMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ G7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	29 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	80mOhm bei 9,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 490µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1640 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	167W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-2
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN
Basis-Produktnummer	IPT60R080

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 5,65000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 6,89300

IPT60R080G7XTMA1