Name: IPT020N10N3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT020N10N3ATMA1TR-ND
Price: 5.3802 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPT020N10N3ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPT020N10N3ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPT020N10N3ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPT020N10N3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT020N10N3ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 300 A (Tc) 375W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPT020N10N3ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	300 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2mOhm bei 150A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 272µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	156 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	11200 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN
Basis-Produktnummer	IPT020