N-Kanal 700 V 10,5 A (Tc) 86W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO251-3-11
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IPS70R600CEAKMA1

DigiKey-Teilenr.
IPS70R600CEAKMA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPS70R600CEAKMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 700 V 10,5 A (Tc) 86W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO251-3-11
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 210µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
22 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
474 pF @ 100 V
Status der Komponente
Bei DigiKey nicht mehr erhältlich
Verlustleistung (max.)
86W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
700 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO251-3-11
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
600mOhm bei 1A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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