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Infineon Technologies
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Datenblatt
N-Kanal 650 V 17,5 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
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IPP65R190CFD7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPP65R190CFD7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP65R190CFD7XKSA1
Beschreibung
HIGH POWER_NEW
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 17,5 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
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Herst.
Serie
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Stange
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 7,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 700µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1850 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
151W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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