
IPP65R150CFDAAKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPP65R150CFDAAKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP65R150CFDAAKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP65R150CFDAAKSA1 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 150mOhm bei 9,3A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,5V bei 900µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 86 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 2340 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 195,3W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | Automobiltechnik | |
Qualifizierung | AEC-Q101 | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO220-3 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 4,29000 | € 4,29 |
| 50 | € 2,23440 | € 111,72 |
| 100 | € 2,03540 | € 203,54 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 4,29000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 5,23380 |



