
IPP60R190C6XKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | IPP60R190C6XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP60R190C6XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP60R190C6XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 630µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 63 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1400 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 151W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 9,5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| STP28N60DM2 | STMicroelectronics | 962 | 497-16348-5-ND | € 4,80000 | Direkter Ersatz |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | € 5,58000 | Ähnlich |
| SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N60EF-GE3-ND | € 5,28000 | Ähnlich |
| SIHP22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP22N60AE-GE3-ND | € 2,07746 | Ähnlich |
| STP18N60M2 | STMicroelectronics | 266 | 497-13971-5-ND | € 3,04000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 3,25000 | € 3,25 |
| 50 | € 1,63740 | € 81,87 |
| 100 | € 1,48140 | € 148,14 |
| 500 | € 1,20780 | € 603,90 |
| 1 000 | € 1,11995 | € 1 119,95 |
| 2 000 | € 1,04608 | € 2 092,16 |
| 5 000 | € 0,98695 | € 4 934,75 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 3,25000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 3,96500 |



