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N-Kanal 30 V 50 A (Tc) 56W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
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IPP065N03LGXKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP065N03LGXKSA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IPP065N03LGXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 30 V 50 A (Tc) 56W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
IPP065N03LGXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,5mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2400 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
56W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3-1
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP065N
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