IPP052N08N5AKSA1 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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IPP052N08N5AKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPP052N08N5AKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP052N08N5AKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 80 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPP052N08N5AKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 66µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 53 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3770 pF @ 40 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 80 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer IPP052
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5,2mOhm bei 80A, 10V

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Ersatzartikel (2)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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