Name: IPN95R1K2P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN95R1K2P7ATMA1TR-ND
Price: 2.1716 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPN95R1K2P7ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPN95R1K2P7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPN95R1K2P7ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPN95R1K2P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPN95R1K2P7ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 950 V 6 A (Tc) 7W (Tc) Oberflächenmontage PG-SOT223
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPN95R1K2P7ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 140µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 15 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 478 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 7W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-SOT223
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-261-4, TO-261AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPN95R1
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,2Ohm bei 2,7A, 10V