Name: IPN80R3K3P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN80R3K3P7ATMA1TR-ND
Price: 1.0736 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 800 V 1,9 A (Tc) 6,1W (Tc) Oberflächenmontage PG-SOT223

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IPN80R3K3P7ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPN80R3K3P7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPN80R3K3P7ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPN80R3K3P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPN80R3K3P7ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 1,9 A (Tc) 6,1W (Tc) Oberflächenmontage PG-SOT223
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPN80R3K3P7ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 30µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 5.8 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 120 pF @ 500 V
Status der Komponente Nur verfügbar bis	Verlustleistung (max.) 6,1W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-SOT223
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,9 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-261-4, TO-261AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPN80R3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,3Ohm bei 590mA, 10V

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
IPD80R3K3P7ATMA1	Infineon Technologies	2 500	IPD80R3K3P7ATMA1TR-ND	€ 1,05000	Vom Hersteller empfohlen

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