Name: IPN60R360PFD7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPN60R360PFD7SATMA1TR-ND
Price: 2.013 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPN60R360PFD7SATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPN60R360PFD7SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPN60R360PFD7SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPN60R360PFD7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPN60R360PFD7SATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 7W (Tc) Oberflächenmontage PG-SOT223-3-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPN60R360PFD7SATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 140µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 12.7 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™PFD7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 534 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 7W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-SOT223-3-1
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-261-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPN60R
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 360mOhm bei 2,9A, 10V