Name: IPN60R360P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R360P7SATMA1TR-ND
Price: 1.6714 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPN60R360P7SATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPN60R360P7SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPN60R360P7SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPN60R360P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPN60R360P7SATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 9 A (Tc) 7W (Tc) Oberflächenmontage PG-SOT223
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPN60R360P7SATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 140µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 13 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 555 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 7W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-SOT223
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-261-4, TO-261AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPN60R
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 360mOhm bei 2,7A, 10V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 862

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)