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IPN50R3K0CEATMA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Ähnlich
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPN50R3K0CEATMA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPN50R3K0CEATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPN50R3K0CEATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPN50R3K0CEATMA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 500 V 2,6 A (Tc) 5W (Tc) Oberflächenmontage PG-SOT223-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPN50R3K0CEATMA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 13V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 3Ohm bei 400mA, 13V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,5V bei 30µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 4.3 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 84 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 5W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-SOT223-3 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Obsolet
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