Name: IPL65R099C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND
Price: 6.1244 EUR
Availability: InStock

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IPL65R099C7AUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPL65R099C7AUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPL65R099C7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPL65R099C7AUMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Standardlieferzeit des Herstellers	39 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 128W (Tc) Oberflächenmontage PG-VSON-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPL65R099C7AUMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ C7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	21 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	99mOhm bei 5,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 590µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2140 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	128W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-VSON-4
Gehäuse / Hülle	4-PowerTSFN
Basis-Produktnummer	IPL65R099

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 5,02000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 6,12440

IPL65R099C7AUMA1