N-Kanal 25 V 80 A (Tc) 107W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 25 V 80 A (Tc) 107W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3
TO-262-3
AUIRFSL6535

IPI04N03LA

DigiKey-Teilenr.
IPI04N03LAIN-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IPI04N03LA
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 25 V 80 A (Tc) 107W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,2mOhm bei 55A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V bei 60µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
32 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3877 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
107W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO262-3
Gehäuse / Hülle
TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI04N
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Obsolet
Marktplatzoptionen: 836 Anzeigen
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt.

Andere Anbieter bei Digi-Key

836Vorrätig
Versand von Rochester Electronics, LLC