Name: IPG20N10S4L35AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N10S4L35AATMA1TR-ND
Price: 2.0862 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPG20N10S4L35AATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPG20N10S4L35AATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPG20N10S4L35AATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPG20N10S4L35AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPG20N10S4L35AATMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 100V 20A 43W Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PG-TDSON-8-10
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPG20N10S4L35AATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	35mOhm bei 17A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,1V bei 16µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	17,4nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1105pF bei 25V
Leistung - Max.	43W
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-10
Basis-Produktnummer	IPG20N