IPG20N04S408AATMA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPG20N04S408AATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPG20N04S408AATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPG20N04S408AATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPG20N04S408AATMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 40V 20A 65W Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PG-TDSON-8-10
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,6mOhm bei 17A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 30µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	36nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2940pF bei 25V
Leistung - Max.	65W
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-10
Basis-Produktnummer	IPG20N