Name: IPDQ65R018CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R018CM8XTMA1TR-ND
Price: 12.871 EUR
Availability: InStock

Neu bei DigiKey

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPDQ65R018CM8XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPDQ65R018CM8XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPDQ65R018CM8XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPDQ65R018CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPDQ65R018CM8XTMA1
Beschreibung	IPDQ65R018CM8XTMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 127A (Tc) 625W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPDQ65R018CM8XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	127A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	18mOhm bei 55,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,7V bei 1,48mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	173 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8290 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	625W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HDSOP-22
Gehäuse / Hülle	22-poliges PowerBSOP-Modul