Name: IPDD60R037CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDD60R037CM8XTMA1TR-ND
Price: 7.503 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPDD60R037CM8XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPDD60R037CM8XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPDD60R037CM8XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPDD60R037CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPDD60R037CM8XTMA1
Beschreibung	IPDD60R037CM8XTMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 72A (Tj) 416W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-10-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPDD60R037CM8XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	72A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	37mOhm bei 27A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,7V bei 680µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	79 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3458 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	416W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HDSOP-10-1
Gehäuse / Hülle	10-poliges PowerSOP-Modul