Name: IPD80R1K4CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K4CEATMA1TR-ND
Price: 2.3546 EUR
Availability: InStock

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IPD80R1K4CEATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD80R1K4CEATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD80R1K4CEATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD80R1K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD80R1K4CEATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 3,9 A (Tc) 63W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD80R1K4CEATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 240µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 23 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 570 pF @ 100 V
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Verlustleistung (max.) 63W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,9 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPD80R1
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,4Ohm bei 2,3A, 10V