Name: IPD60R950C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R950C6ATMA1TR-ND
Price: 1.5982 EUR
Availability: InStock

IPD60R950C6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD60R950C6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD60R950C6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD60R950C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD60R950C6ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 4,4 A (Tc) 37W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD60R950C6ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ C6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	950mOhm bei 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 130µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	280 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	37W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO252-3
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IPD60R

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,31000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,59820

IPD60R950C6ATMA1