Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 2.6718 EUR
Availability: InStock

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IPD60N10S4L12ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD60N10S4L12ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 60 A (Tc) 94W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3-313
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD60N10S4L12ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 49 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±16V
Serie HEXFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3170 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 94W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3-313
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 12mOhm bei 60A, 10V	Basis-Produktnummer IPD60N10
Vgs(th) (max.) bei Id 2,1V bei 46µA