Name: IPD200N15N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD200N15N3GATMA1TR-ND
Price: 3.2086 EUR
Availability: InStock

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IPD200N15N3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD200N15N3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD200N15N3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD200N15N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD200N15N3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 50 A (Tc) 150W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD200N15N3GATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	8V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	20mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 90µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1820 pF @ 75 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO252-3
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IPD200

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 2,63000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 3,20860

IPD200N15N3GATMA1