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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Infineon Technologies
Vorrätig: 289
Stückpreis : € 3,69000
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Direkter Ersatz


STMicroelectronics
Vorrätig: 1 625
Stückpreis : € 2,99000
Datenblatt

Direkter Ersatz


STMicroelectronics
Vorrätig: 554
Stückpreis : € 3,38000
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Direkter Ersatz


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Vorrätig: 8 593
Stückpreis : € 3,09000
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STMicroelectronics
Vorrätig: 1 840
Stückpreis : € 2,25000
Datenblatt
PG-TO263-3-2
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB80N06S2H5ATMA1

DigiKey-Teilenr.
IPB80N06S2H5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPB80N06S2H5ATMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5,2mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 230µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4400 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO263-3-2
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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