Name: IPB65R190CFDATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R190CFDATMA2TR-ND
Price: 3.843 EUR
Availability: InStock

IPB65R190CFDATMA2
DigiKey-Teilenr.	448-IPB65R190CFDATMA2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB65R190CFDATMA2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB65R190CFDATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB65R190CFDATMA2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 17,5 A (Tc) 151W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB65R190CFDATMA2 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CFD2
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	190mOhm bei 7,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 700µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1850 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	151W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IPB65R190

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1 000	€ 1,08965	€ 1 089,65
2 000	€ 1,03208	€ 2 064,16

IPB65R190CFDATMA2

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 3,15000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 3,84300