Name: IPB65R190CFDATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R190CFDATMA2TR-ND
Price: 4.7336 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB65R190CFDATMA2
DigiKey-Teilenr.	448-IPB65R190CFDATMA2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB65R190CFDATMA2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB65R190CFDATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB65R190CFDATMA2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 17,5 A (Tc) 151W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB65R190CFDATMA2 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 700µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 68 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CFD2	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1850 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 151W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 17,5 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPB65R190
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 7,3A, 10V