Name: IPB65R095C7ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R095C7ATMA2TR-ND
Price: 5.917 EUR
Availability: InStock

Benötigen Sie Hilfe?

Feedback

Über DigiKey Marktplatz Verkauf auf DigiKey.com Karriere Seitenübersicht Digitale Lösungen Newsroom

Chat (+39) 02 3859 4698 italy.support@digikey.com Co-Browse

IPB65R095C7ATMA2
DigiKey-Teilenr.	IPB65R095C7ATMA2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB65R095C7ATMA2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB65R095C7ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB65R095C7ATMA2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 128W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB65R095C7ATMA2 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ C7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	24 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	95mOhm bei 11,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 590µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2140 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	128W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IPB65R095

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 4,85000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 5,91700

IPB65R095C7ATMA2