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IPB60R190P6ATMA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPB60R190P6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPB60R190P6ATMA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 630µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 37 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1750 pF @ 100 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 151W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 7,6A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | 2 045 | IPB60R180P7ATMA1CT-ND | € 2,65000 | Ähnlich |
| R6024ENJTL | Rohm Semiconductor | 811 | R6024ENJTLCT-ND | € 4,33000 | Ähnlich |
| SIHB22N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB22N60E-GE3-ND | € 4,28000 | Ähnlich |
| SIHB22N60EL-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB22N60EL-GE3-ND | € 1,69980 | Ähnlich |
| SIHB23N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 44 | SIHB23N60E-GE3-ND | € 4,42000 | Ähnlich |





