Name: IPB17N25S3100ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB17N25S3100ATMA1TR-ND
Price: 3.233 EUR
Availability: InStock

IPB17N25S3100ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPB17N25S3100ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB17N25S3100ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB17N25S3100ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB17N25S3100ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 17 A (Tc) 107W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB17N25S3100ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	100mOhm bei 17A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 54µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1500 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	107W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3-2
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IPB17N25

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 2,65000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 3,23300

IPB17N25S3100ATMA1