Name: IPB110N20N3LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB110N20N3LFATMA1TR-ND
Price: 9.7356 EUR
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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IPB110N20N3LFATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB110N20N3LFATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB110N20N3LFATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB110N20N3LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB110N20N3LFATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 88 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB110N20N3LFATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,2V bei 260µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 76 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 3	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 650 pF @ 100 V
Status der Komponente Nur verfügbar bis	Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 88 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPB110
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11mOhm bei 88A, 10V