Name: IPB090N06N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB090N06N3GATMA1TR-ND
Price: 1.9276 EUR
Availability: OutOfStock

Benötigen Sie Hilfe?

Feedback

Über DigiKey Marktplatz Verkauf auf DigiKey.com Karriere Seitenübersicht Digitale Lösungen Newsroom

Chat (+39) 02 3859 4698 italy.support@digikey.com Co-Browse

IPB090N06N3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB090N06N3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB090N06N3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB090N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB090N06N3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 50 A (Tc) 71W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB090N06N3GATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 34µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2900 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	71W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IPB090

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,58000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,92760

IPB090N06N3GATMA1