Name: IPB073N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB073N15N5ATMA1TR-ND
Price: 4.5872 EUR
Availability: InStock

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IPB073N15N5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB073N15N5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB073N15N5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB073N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB073N15N5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 114 A (Tc) 214W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB073N15N5ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	114 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	8V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,3mOhm bei 57A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,6V bei 160µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	61 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4700 pF @ 75 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	214W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3-2
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IPB073

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 3,76000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 4,58720

IPB073N15N5ATMA1