Name: IPB048N15N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB048N15N5LFATMA1TR-ND
Price: 7.2834 EUR
Availability: OutOfStock

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IPB048N15N5LFATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB048N15N5LFATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB048N15N5LFATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB048N15N5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB048N15N5LFATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 120 A (Tc) 313W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB048N15N5LFATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,8mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,9V bei 255µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	84 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	380 pF @ 75 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	313W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IPB048

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 5,97000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 7,28340

IPB048N15N5LFATMA1