N-Kanal 80 V 107 A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 80 V 107 A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB040N08NF2SATMA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPB040N08NF2SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
448-IPB040N08NF2SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
448-IPB040N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IPB040N08NF2SATMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 80 V 107 A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPB040N08NF2SATMA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
StrongIRFET™ 2
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
107 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,8V bei 85µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3800 pF @ 40 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,8W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO263-3
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB040N
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Menge
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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 2,13000€ 2,13
10€ 1,37200€ 13,72
100€ 0,93770€ 93,77
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
800€ 0,71033€ 568,26
1 600€ 0,65723€ 1 051,57
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Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:€ 2,13000
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