Name: IPB040N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB040N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 3.9772 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB040N08NF2SATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPB040N08NF2SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB040N08NF2SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB040N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB040N08NF2SATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 107 A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB040N08NF2SATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™ 2
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	107 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 85µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3800 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IPB040N