Name: IPB017N10N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB017N10N5LFATMA1TR-ND
Price: 8.8816 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB017N10N5LFATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB017N10N5LFATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB017N10N5LFATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB017N10N5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB017N10N5LFATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers	48 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 180 A (Tc) 313W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB017N10N5LFATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,1V bei 270µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 195 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 840 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 313W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-7
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 180 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-7, D2PAK (6 Pins + Lasche)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPB017
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,7mOhm bei 100A, 10V