N-Kanal 600 V 8A (Tj) 25W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220 voller Pack
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IPAN60R180CM8XKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPAN60R180CM8XKSA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IPAN60R180CM8XKSA1
Beschreibung
IPAN60R180CM8XKSA1
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 8A (Tj) 25W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220 voller Pack
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPAN60R180CM8XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 5,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,7V bei 140µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
743 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220 voller Pack
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
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