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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPA80R650CEXKSA2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPA80R650CEXKSA2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPA80R650CEXKSA2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 8 A (Ta) 33W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3F |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPA80R650CEXKSA2 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Nicht für Neukonstruktionen | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 650mOhm bei 5,1A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,9V bei 470µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 45 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1100 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 33W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220-3F | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 100
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 2,38000 | € 2,38 |
| 50 | € 1,17300 | € 58,65 |
| 100 | € 1,05600 | € 105,60 |
| 500 | € 0,85100 | € 425,50 |
| 1 000 | € 0,78511 | € 785,11 |
| 2 000 | € 0,72970 | € 1 459,40 |
| 5 000 | € 0,70376 | € 3 518,80 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 2,38000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,90360 |
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