IPA65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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IPA65R420CFDXKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPA65R420CFDXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPA65R420CFDXKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 8,7 A (Tc) 31,2W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-111
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 340µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 32 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 870 pF @ 100 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 31,2W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3-111
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8,7 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3 voller Pack
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPA65R420
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 420mOhm bei 3,4A, 10V

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Zusätzliche Ressourcen

Ersatzartikel (4)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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