IPA60R460CEXKSA1 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

IPA60R460CEXKSA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPA60R460CEXKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPA60R460CEXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPA60R460CEXKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 9.1A TO220-FP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 9,1 A (Tc) 30W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 280µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 28 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CE	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 620 pF @ 100 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-FP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9,1 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3 voller Pack
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPA60R460
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 460mOhm bei 3,4A, 10V