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IPA50R650CEXKSA2

DigiKey-Teilenr.
IPA50R650CEXKSA2-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IPA50R650CEXKSA2
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 4,6 A (Tc) 27,2W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-FP
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™ CE
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4,6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
13V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
650mOhm bei 1,8A, 13V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 150µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
342 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
27,2W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3-FP
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
IPA50R
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